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1 专一GaN的使氮垂直整合
Transphorm 是GaN(氮化镓)功率半导体规模的全天下争先企业 ,自动于妄想以及制作用于新世代电力零星的化镓高功能、高坚贞性650 V 、产物900 V 以及1 200 V( 当初处于开拓阶段)氮化镓器件。更高
Transphorm 具备1 000 多项专利 ,使氮氮化镓器件为繁多营业。化镓Transphorm 是产物唯逐个家以垂直整合商业方式经营的上市公司 ,这象征着在器件开拓的更高每一个关键阶段 ,咱们均能做到自主可控以及立异——搜罗GaN HEMT 器件妄想 、使氮外在片质料、化镓晶圆制程工艺 ,产物直至最终氮化镓场效应晶体管芯片。更高因此 ,使氮咱们的化镓氮化镓器件可能使功能逾越99% 、将功率密度后退50% 、产物以及将零星老本飞腾20%。
Philip Zuk(Transphorm营业睁开以及市场营销低级副总裁)2 SuperGaN的优势
Transphorm 的 SuperGaN® 技术是一种共源共栅(cascode)妄想的常闭耗尽型(normally-off d-mode)氮化镓平台。该平台特色使患上SuperGaN 具备了增强型(e-mode)氮化镓所不能比力的优势,搜罗:
● 业界争先的坚贞性(FIT< 0.03);
● 较高的饱以及电流可削减对于并联器件的需要;
● 基于根基物理特色的极低电阻温度系数(TCR);
● 由于器件庞漂亮低,并具备卓越的栅极清静裕度(±20 V 栅极安妥性以及4 V 抗噪性),因此易于妄想;
● 可与现成驱动器配对于 ,因此易于驱动;
● 易于制作(具备与硅器件相似的良率);
● 精采的妄想多样性(可提供赶快替换的封装;可提供高功能封装,能用单个Transphorm 器件替换多个并联的e-mode 氮化镓器件或者硅器件);
● 业界至多的器件封装抉择(SMD、TO-XXX 、TOLL、TOLT 等) 。
最终,上述优势使 Transphorm 的低压氮化镓场效应晶体管产物组合可能知足现今普遍的市场运用 、反对于最宽的功率级规模(45 W~10+ kW)。这些市场运用搜罗 :电源适配器/ 充电器;电脑游戏/ 算力运用PSU;数据中间 PSU;航天航空PSU;普遍的工业零星(高坚贞的电源模块 、UPS 等);可再沉闷力/ 太阳能光伏微型逆变器;电动出行零星。
3 平台规范差距,导致GaN产物差距
业界普遍存在一种扭曲,即以为不论平台规范若何(e-mode 或者 normally-off d-mode),所有氮化镓器件都是同样的。可是事实并非如斯。
据咱们清晰 ,一些客户对于运用氮化镓技术心存忌惮,由于有过运用e-mode 氮化镓处置妄想泛起现场失效的负面体验。咱们的清晰是,这些倾向要末是由于功能以及坚贞性下场,要末是由于e-mode 的栅极清静裕度较低 ,以及定制驱动器要求发生的重大性 ,给电力零星的根基妄想带来了难题 。
这些是Transphorm 抉择开拓normally-off d-mode平台的多少个原因。在咱们的SuperGaN 平台中 ,氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)与一个低压硅MOSFET 配对于,这种配对于处置了e-mode 每一每一碰头临的下场。由于硅MOSFET 电压较低,因此SuperGaN 器件可由家喻户晓的罕用硅驱动器驱动 ,重大易运用 ,同时还具备硅管的安妥性以及坚贞性,并可发挥出GaN HEMT自己的全副功能优势。
SuperGaN 技术平台的丰硕妄想履历、功能以及坚贞性,是Transphorm 氮化镓器件当初被前面所列市场中45 W~7 kW+ 运用所普遍接管的原因,也是咱们可能推出900 V 平台、并正在开拓1 200 V 平台的原因 。1 200 V 的电压使氮化镓成为电动出奔运用中极具排汇力的处置妄想 ,因此对于碳化硅(SiC)技术组成挑战。当初尚未任何一家e-mode 器件制作店铺称具备相同能耐。
氮化镓适才进入市场的早期 ,咱们与客户相助妨碍运用开拓的历程中,还懂取患上一些其余的主要挑战。这些挑战与固件开拓无关 :当时 ,习气于模拟零星的电力零星市场对于固件开拓回有些目生 。Transphorm 经由与Microchip 公司相助 ,将后者的 dsPIC 数字电源插件模块 (PIMs) 纳入咱们的参考妄想中